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　　理由：UL62368、CCC认证要求断开一组电阻再测试X电容的残留电压。

　　很多新手会犯的一个错误，修正的办法只能重新改PCBLayout，浪费自己和采购打样的时间。

　　3.变压器飞线的PCB孔径需考虑到最大飞线直径，必要是预留两组一大一小的PCB孔。

　　因为安规申请认证通常会有一个系列，比如说24W申请一个系列，其中包含4.2V-36V电压段，输出低压4.2V大电流和高压36V小电流的飞线线径是不一样的。

　　因为你的PCB可能会用在不同电流段上，比如5V/8A，和20V/2A，两者使用的线材是不一样的

　　这个新手非常容易忽略，所以申请认证的产品一定要做OVP测试，抓输出瞬间波形。

　　9.电路调试，输出有LC滤波的电路需要老化确认纹波，如果纹波异常请调整环路。

　　这个很重要，我之前经常碰到这样的一个问题，产线老化后测试纹波会变高，现象是环路震荡。

　　10.电路调试，二极管并联时,应该测试一颗二极管故障开路时, 产生的异常(包括TO-220 里的两颗二极管)。

　　如果你某一产品是符合UL60335标准，哪天客户希望满足UL1310，这时你又得改PCB Layout拿去安规报备了，如果你画的板符合各类标准，后面的工作会轻松很多。

　　像飞利浦这样的客户都要求ESD非常严的，听说富士康的还要达到±20KV，哪天有这种客户真正的需求，你又得忙一段时间了。

　　13.电路设计，设计变压器时，VCC电压在轻载电压要大于IC的欠压关断电压值。

　　判断空载VCC电压需大于芯片关断电压的5V左右，同时确认满载时不能大于芯片过压保护值

　　14.电路设计，设计共用变压器需考虑到使用最大输出电压时的VCC电压，低温时VCC有稍微NOSIE会碰触OVP动作。

　　如果你的产品9V-15V是共用一个变压器，请确认VCC电压，和功率管耐压

　　15.电路调试，Rcs与Ccs值不能过大，否则会造成VDS超过最大耐压炸机。

　　LEB前沿消隐时间设短了，比尖峰脉冲的时间还短，那就没有效果了还是会误判；如果设长了，真正的过流来了起不到保护的作用。

　　Rcs与Ccs的RC值不可超过1NS的Delay，否则输出短路时，Vds会比满载时还高，超过MOSFET最大耐压就会造成炸机。

　　17.电路设计，肖特基的散热片可以接到输出正极线路，这样铁封的肖特基就不用绝缘垫和绝缘粒

　　18.电路调试，15W以上功率的RCD吸收不要用1N4007，因为1N4007速度慢300uS，压降也大1.3V，老化过程中温度很高，容易失效造成炸机

　　19.电路调试，输出滤波电容的耐压致少需符合1.2倍余量，避勉量产有损坏现象。

　　之前是犯了这个很低级的错误，14.5V输出用16V耐压电容，量产有1%的电容失效不良。

　　20.电路设计，大电容或其它电容做成卧式时，底部如有跳线需放在负极电位，这样跳线能不用穿套管。

　　21.整流桥堆、二极管或肖特基，晶元大小元件承认书或在BOM表要有描述，如67mil。

　　另人烦脑的就是供应商做手脚，导致一整批试产的产品过不了六级能效，缘由是肖特基内部晶元用小导致。

　　22.电路设计，Snubber 电容，因为有异音问题，优先使用Mylar电容 。

　　23.浸漆的TDK RF电感与未浸漆的鼓状差模电感，浸漆磁芯产生的噪音要小12dB

　　24.变压器生产时真空浸漆，可以使其工作在较低的磁通密度，使用环氧树脂黑胶填充三个中柱上的缝隙

　　27.在进行EMS项目测试时，需测试出产品的最大程序，直到产品损坏为止。

　　例如ESD 雷击等，一定要打到产品损坏为止，并做好相关记录，看产品余量有多少，做到心中有数

　　28.电路设计，异常测试时，短路开路某个元件若还有输出电压则要进行LPS测试，过流点不能超过8A。

　　29.安规开壳样机，所有可选插件元件要装上供拍照用，L、N线和DC线与PCB要点白胶固定。

　　这个是经常犯的一个毛病，经常一股劲的把样品送到第三方机构，后面来来改来改去的

　　30.电路调试，冷机时PSR需1.15倍电流能开机，SSR需1.3倍电流能开机，避免老化后启动不良

　　PSR现在很多芯片都能轻松实现“零恢复”OCP电流，比如ME8327N，具有“零恢复”OCP电流功能

　　31.电路设计，请注意使用的Y电容总容量,不能超过222P, 因为有漏电流的影响

　　32.反激拓补结构，变压器B值需小于3500高斯，如果变压器饱和一切动作将会失控，如下，上图为正常，下图为饱和。

　　变压器的磁饱和一定要确认，重重之重，这是首条安全性能保障，包括过流点的磁饱和、开机瞬间的磁饱和、输出短路的磁饱和、高温下的磁饱和、高低压的磁饱和。

　　33.结构设计，散热片使用螺丝固定参考以下表格设计，实际应用中应增加0.5-1mm余量，参考如下表格：

　　34.结构设计，AC PIN焊线材的需使用勾焊，若不是则要点白胶固定。

　　35.传导整改，分段处理经验，如下图，这只是处理的一种方法，有些情况并不是能直接套用

　　36.辐射整改，分段处理经验，如下图，适合一些新手工程师，提供一个参考的方向，有些情况并不是能直接套用，最主要的还是要搞清楚EMI产生的机理。

　　37.关于PCB碰到的问题，如图，为什么99SE画板覆铜填充的时候填不满这一个位置？像是有死铜一样

　　38.变压器铜箔屏蔽主要是针对传导，线屏蔽主要是针对辐射，当传导非常好的时候，有可能你的辐射会差，这样一个时间段把变压器的铜箔屏蔽改成线M下降的位置，这样整改辐射会快很多。

　　39.测试辐射的时候，多带点不一样的品牌的MOS、肖特基。有些时候只差2、3dB的时候换一个不一样的品牌会有惊喜。

　　一个惨痛案例，一款过了EMI的产品，余量都有4dB以上，量产很多次了，其中有一次量产抽检EMI发现辐射超1dB左右，不良率有50%，经过层层排查、一个个元件对换。最终发现是VCC上的整流二极管引发的问题，更换之前的管子（留低样品），余量有4dB。对不良管子分析，发现管子内部供应商做了镜像处理。

　　方法：在PCB板上找一条光滑且长的线条，测量其长度L，再测宽度W，再用DC源加1A电流在其两端测得压降U

　　例：取一段PCB铜箔，长度L为40mm，宽度为10mm，其通过1A电流两端压降为0.005V，求该段铜箔厚度为多少um？

　　42.一款36W适配器的EMI整改案例，输出12V/3A，多图对比，整改花费时间3周。

　　130-200M根本原因在于PCB布局问题和二次侧的肖特基回路，改其它地方作用不大，肖特基套磁珠可以完全压下来，图忘记保存了。

　　为了节省本金，公司并不让我这样做，因为套磁珠影响了成本，当即NG掉此PCB布局，采用图一a方式PCB关键布局走线。

　　图一a能够准确的看出，改变PCB布局后130M-200M已经完全被衰减，但是30-130M没有图一效果好，可能变压器出线无交叉好一些。仔仔细细地观察，此IC具有抖频功能，传导部分频段削掉了一些尖峰；

　　图一b能够正常的看到，输入电压在230Vac测试时，65M和83M位置有点顶线（红色线）

　　原边吸收电容由471P加大到102P，65M位置压下来一点，后面还是有点高，如图一b-1所示；

　　115Vac输入测试，后面150M又超了，发克！高压好了低压又不行，恼火啊！看来这招不行；

　　变压器屏蔽还是换成铜箔屏蔽（圈数由0.9Ts改成1.3Ts），效果不错，如图一b-4所示。

　　二：Y电容回路走线越短越好先经过变压器地再回到大电容地，不与其它信号线交叉；

　　43.一款48W（36V/1.33A）整改EMI案例，仅仅是调整了肖特基吸收就把30-40M压下来。

　　a..PADS画好的PCB导出为DXF文件，CAD打开后是由双线组成的空心线段，如图：

　　step2．在键盘上敲PE，回车，鼠标点中其中一边，再敲Y，回车，再敲J，回车，拖动鼠标把整个板框选中，回车，按Esc键退出此模式。

　　step3．比例调整，SC 按空格，选取整个板框，按空格，任意地方单击鼠标一下, 比例: 39.37 ，按空格。

　　46.在画PCB定义变压器脚位时，要考虑到变压器的进线和出线是否会交叉，因为各绕组之间的绕线度的交叉，需在交叉出线处加一个套管到pin脚。

　　47.PCB的热点区域一定要远离输入、输出端子，防止噪声源串到线上导致EMI变差，在不得已而为之时，可增加地线或其它屏蔽方式来进行隔离，如下图增加了一条地线进行相对有效隔离。

　　48.驱动电阻尽量靠近MOS、电流采样的电阻尽量靠近芯片，避免产生其它看不到的后果。

　　49.分享一个辐射整改案例，一个长条形散热片有2个脚，2只脚都接地，辐射硬是整不过，后来把其中一只脚悬空，辐射频段变好。后面分析原因是2只脚接地会产生磁场回路。

　　51.棒型电感两条腿之间，切记，切记，切记，禁止走弱信号走线，否则发生的意外你都找不到原因。

　　a..EE，EI，EF，EEL类，常用来制作中小功率的变压器，成本低，工艺简单

　　c..EER，ERL，ETD类，常用来制作大中型功率的变压器，很适合用来制作多路输出的大功率主变压器，且变压器漏感较小，非常容易符合安规

　　d..PQ，EQ，LP类，该磁芯的中间柱较一般的磁芯要大，产品漏感较小，适合做小体积大功率的变压器，输出组数不能过多

　　e..RM，POT类，常用来制作通讯类或中小功率高频变压器，本身的磁屏蔽很好，容易满足EMC特性

　　f..EDR类，一般常用于LED驱动，产品厚度要求薄，变压器制做工艺复杂

　　53.某些元器件或导线之间可能有较高电位差，应加大它们之间的距离，以免放电引出意外短路。

　　如反激一次侧的高压MOS的D、S之间距离，依据公式500V对应0.85mm，DS电压在700V以下是0.9mm，考虑到污染和潮湿，一般取1.2mm

　　54.如果TO220封装的MOS的D脚串了磁珠，需要仔细考虑T脚增加安全距离。

　　55.发一个验证VCC的土方法，把产品放低温度的环境（冰箱）几分钟，测试VCC波形电压有没有触发到芯片欠压保护点。

　　57.跳线旁边有高压元件时，应要保持安全距离，特别是容易活动或歪斜的元件。

　　58.输出大电解底部不得已要走跳线时，跳线应是低压或是地线，为防止过波峰焊烫伤电容，一般加套管。

　　理由：开关管工作时容易干扰到背部的芯片，造成系统不稳定，其它高频器件同理

　　理由：SR的尾部留长是一样长的，当两个焊盘孔间隔太远时，会造成不方便生产焊接

　　理由：高频信号会通过AC端耦合出去，从而噪声源被EMI设备检测到引起EMI问题

　　如(1)(2)(3)绿线的地连接到芯片的地，再连接到EC4电解电容的地。注意不可连到变压器的地，因为变压器次级A-D3-EC4-次级B形成功率环，如果ME4312芯片的地接到次级B线电容之间，受到较强的di/dt干扰会导致系统的不稳定等因素。

　　通过断开PCB铜箔使用一根导线连到输出电容地，隔开ME4312B芯片地，如下图：

　　64.一个最近贴片电容涨价的应对小技巧，贴片电容都预留一个插件位置，或104都改为224P，这样相对便宜很多。